Samsung MZ-VAP1T0BW *
Kapacitás: 1 TB *
Interfész: PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 *
Forma: M.2 (2280) *
Méretek: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm *
Tömeg: kb. 9 g *
NAND flash memória: Samsung V-NAND TLC (V8) *
Kontroller: Samsung saját fejlesztésű *
DRAM cache memória: 1 GB LPDDR4X *
Szekvenciális olvasási sebesség: legfeljebb 14 700 MB/s *
Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 13 300 MB/s *
Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 1 850 000 IOPS *
Véletlenszerű írás (4KB, QD32): legfeljebb 2 600 000 IOPS *
Átlagos energiafogyasztás (olvasás/írás): 7,6 W / 7,2 W *
Energiafogyasztás (készenléti állapot): max. 4 mW *
L1.2 mód fogyasztás: max. 3,3 mW *
Üzemi hőmérséklet: 0°C - 70°C *
Nem üzemi hőmérséklet: -40°C - 85°C *
Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz hullám) *
MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra *
TBW (írási terhelhetőség): 600 TB *
Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) *
Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard *
Szoftver: Samsung Magician *
RoHS megfelelőség: Igen *
Kompatibilitás: PCIe 5.0 rendszerekkel
Vásárold meg most szuper áron SAMSUNG, SSD Belső, 1TB, 9100 PRO, NVMe 2.0, 600TBW
termékünket és válogass több, mint 25.000 termékünk közül a kedvezőbb árakért! Azonnal, valós magyarországi készletről szállítjuk raktáron lévő termékeinket, ráadásul azokat akár még a mai napon átadjuk a futárszolgálatnak és 1-2 munkanapon belül meg is kaphatod! Rendelhető termékeink esetén kérjük érdeklődj a pontos beérkezésről.
